| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-3350737 Herst.-Nr.: SIHA6N80AE-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826 ohmProduktpalette: E MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 5 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-220FP Drain-Source-Spannung Vds: 800 VVerlustleistung: 30 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHA6N80AE-GE3, 3350737, 335-0737 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |