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ONSEMI FGB20N60SFD-F085 IGBT, 600V, 40A, 150°C, 208W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3368678
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FGB20N60SFD-F085
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
on semiconductor igbt
Produktpalette: -
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2 V
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40 A
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Verlustleistung: 208 W
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: igbt, Dioden, Einfache, Gleichrichter, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FGB20N60SFD-F085, 3368678, 336-8678
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