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| Artikel-Nr.: 8737-3368857 Herst.-Nr.: NVD5117PLT4G-VF01 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 61 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 118 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVD5117PLT4G-VF01, 3368857, 336-8857 |
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