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ROHM R8002CND3FRATL MOSFET AEC-Q101 N-KANAL 800V, 2A, TO-252


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3406515
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     R8002CND3FRATL
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3 ohm
  • Produktpalette: -
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 2 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 800 V
  • Verlustleistung: 69 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5 V
  • SVHC: Lead (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, R8002CND3FRATL, 3406515, 340-6515
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