| |
|
| Artikel-Nr.: 8737-3407105 Herst.-Nr.: RQ3E080BNTB EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| | |
| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 15 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: HSMT Drain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 14 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 VSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RQ3E080BNTB, 3407105, 340-7105 |
| | |
| |