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| Artikel-Nr.: 8737-3438372 Herst.-Nr.: IXFB30N120P EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35 ohmProduktpalette: Polar HiPerFET Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 30 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PLUS264 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kVVerlustleistung: 1.25 kWQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5 VSVHC: No SVHC (12-Jan-2017) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXFB30N120P, 3438372, 343-8372 |
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