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| Artikel-Nr.: 8737-3438388 Herst.-Nr.: IXFN420N10T EAN/GTIN: k.A. |
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| Betriebstemperatur, max.: 175 °C Drain-Source-Spannung Vds: 100 VKanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 VDrain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023 ohmProduktpalette: GigaMOS HiperFET Dauer-Drainstrom Id: 420 AVerlustleistung: 1.07 kWGate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: No SVHC (12-Jan-2017) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, FETs, Gleichrichter, MOSFET-Module, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXFN420N10T, 3438388, 343-8388 |
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