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| Artikel-Nr.: 8737-3438409 Herst.-Nr.: IXTA76P10T EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025 ohmProduktpalette: TrenchP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 76 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-263AA Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 298 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: No SVHC (12-Jan-2017) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXTA76P10T, 3438409, 343-8409 |
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