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IXYS SEMICONDUCTOR IXTH10P60 MOSFET, P-KANAL, 600V, 10A, TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3438411
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTH10P60
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 10 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 300 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXTH10P60, 3438411, 343-8411
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