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| Artikel-Nr.: 8737-3438421 Herst.-Nr.: IXTP180N10T EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057 ohmProduktpalette: Trench Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 180 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 480 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 VSVHC: No SVHC (12-Jan-2017) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXTP180N10T, 3438421, 343-8421 |
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