| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-3439658 Herst.-Nr.: BUK763R8-80E,118 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 ohmProduktpalette: TrenchMOS MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 120 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 80 VVerlustleistung: 357 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Ja |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, BUK763R8-80E,118, 3439658, 343-9658 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |