| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-3439959 Herst.-Nr.: PDTD113ET,215 EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Produktpalette: PDTD113E Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 1 kohmBasis-Emitter-Widerstand R2: 1 kohmAnzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-236AB Dauer-Kollektorstrom: 500 mADC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33 hFEVerlustleistung: 250 mWQualifikation: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 VRoHS konform: Ja |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, Bipolare, digitale, Dioden, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Vorgespannte, NEXPERIA, PDTD113ET,215, 3439959, 343-9959 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |