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| Artikel-Nr.: 8737-3440007 Herst.-Nr.: PHB47NQ10T,118 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02 ohmProduktpalette: TrenchMOS MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 47 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 166 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, PHB47NQ10T,118, 3440007, 344-0007 |
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