| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-3464025 Herst.-Nr.: NVH4L160N120SC1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 20 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 4 Pin(s)MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 17.3 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kVVerlustleistung: 111 WGate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Keine Angaben |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, mosfet 17a, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVH4L160N120SC1, 3464025, 346-4025 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |