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| Artikel-Nr.: 8737-3470676 Herst.-Nr.: SQD50N10-8M9L_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071 ohmProduktpalette: TrenchFET Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 50 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-252AA Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 136 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 50a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQD50N10-8M9L_GE3, 3470676, 347-0676 |
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