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| Artikel-Nr.: 8737-3470677 Herst.-Nr.: SISA72DN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285 ohmProduktpalette: TrenchFET IV Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 60 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK 1212 Drain-Source-Spannung Vds: 40 VVerlustleistung: 52 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, MOSFET, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SISA72DN-T1-GE3, 3470677, 347-0677 |
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