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VISHAY SQJ418EP-T1_GE3 MOSFET, N-KANAL, 100V, 48A, 175°C, 68W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3470698
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQJ418EP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 48 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK SO
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 68 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQJ418EP-T1_GE3, 3470698, 347-0698
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