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ONSEMI NTBG160N120SC1 MOSFET, N-KANAL, 1.2KV, 19.5A, TO-263HV


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-3528497
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTBG160N120SC1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
PIN-Diode
Rds(on)-Prüfspannung: 20 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 7 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 19.5 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kV
  • Verlustleistung: 136 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
  • RoHS konform: Keine Angaben
  • Weitere Suchbegriffe: SMD-Diode, SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, smd diode, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NTBG160N120SC1, 3528497, 352-8497
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