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| Artikel-Nr.: 8737-3528519 Herst.-Nr.: NVMFD6H846NLT1G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31 AProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80 VDauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31 ADrain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0122 ohmKanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0122 ohmVerlustleistung, n-Kanal: 34 WVerlustleistung, p-Kanal: 34 WBetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: DFN Qualifikation: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, ONSEMI, NVMFD6H846NLT1G, 3528519, 352-8519 |
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