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| Artikel-Nr.: 8737-3528523 Herst.-Nr.: NVMFS6H818NLT1G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 5 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 135 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: DFN Drain-Source-Spannung Vds: 80 VVerlustleistung: 140 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVMFS6H818NLT1G, 3528523, 352-8523 |
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