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INFINEON AIGB30N65F5ATMA1 TRANSISTOR, IGBT, 650V, 55A, TO-263


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3582431
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     AIGB30N65F5ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55 A
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Verlustleistung: 188 W
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: igbt, Dioden, Einfache, Gleichrichter, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, AIGB30N65F5ATMA1, 3582431, 358-2431
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