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| Artikel-Nr.: 8737-3586065 Herst.-Nr.: SIR882BDP-T1-RE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069 ohmProduktpalette: TrenchFET Gen IV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 67.5 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK SO Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 83.3 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIR882BDP-T1-RE3, 3586065, 358-6065 |
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