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| Artikel-Nr.: 8737-3586069 Herst.-Nr.: SIHB17N80AE-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25 ohmProduktpalette: E MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 15 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 800 VVerlustleistung: 179 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet d2pak, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHB17N80AE-GE3, 3586069, 358-6069 |
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