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| Artikel-Nr.: 8737-3586074 Herst.-Nr.: SISS52DN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950 µohmProduktpalette: TrenchFET Gen V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 162 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Drain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 57 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SISS52DN-T1-GE3, 3586074, 358-6074 |
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