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ONSEMI NVH4L060N090SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, N CHANNEL, 900 V


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3588884
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NVH4L060N090SC1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 15 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 4 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 46 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Drain-Source-Spannung Vds: 900 V
  • Verlustleistung: 221 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3 V
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVH4L060N090SC1, 3588884, 358-8884
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