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| Artikel-Nr.: 8737-3588885 Herst.-Nr.: NVMYS6D2N06CLTWG EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005 ohmProduktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 4 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 71 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: LFPAK Drain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 61 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVMYS6D2N06CLTWG, 3588885, 358-8885 |
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