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ROHM RQ3L070ATTB MOSFET, P-KANAL, 60V, 25A, HSMT


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3605703
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RQ3L070ATTB
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Dioden
Einfache
FETs
Gleichrichter
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 25 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: HSMT
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 2 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Die Konditionen im Überblick1
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