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| Artikel-Nr.: 8737-3605911 Herst.-Nr.: SIRA20BDP-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480 µohmProduktpalette: TrenchFET Gen IV Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 335 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK SO Drain-Source-Spannung Vds: 25 VVerlustleistung: 104 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1 VSVHC: Lead (19-Jan-2021) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIRA20BDP-T1-GE3, 3605911, 360-5911 |
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