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| Artikel-Nr.: 8737-3605919 Herst.-Nr.: SIHP6N80AE-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826 ohmProduktpalette: E Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 5 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-220AB Drain-Source-Spannung Vds: 800 VVerlustleistung: 62.5 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHP6N80AE-GE3, 3605919, 360-5919 |
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