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NEXPERIA PSMN8R9-100BSEJ MOSFET, N-KANAL, 100V, 75A, TO-263


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-3617857
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN8R9-100BSEJ
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 75 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 296 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7 V
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, PSMN8R9-100BSEJ, 3617857, 361-7857
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