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| Artikel-Nr.: 8737-3639650 Herst.-Nr.: SIHA24N80AE-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16 ohmProduktpalette: E Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 9 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-220FP Drain-Source-Spannung Vds: 800 VVerlustleistung: 35 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, to-220 mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHA24N80AE-GE3, 3639650, 363-9650 |
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