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| Artikel-Nr.: 8737-3677719 Herst.-Nr.: NTH4LN095N65S3H EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077 ohmProduktpalette: SUPERFET III Anzahl der Pins: 4 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 30 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 208 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NTH4LN095N65S3H, 3677719, 367-7719 |
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