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| Artikel-Nr.: 8737-3677848 Herst.-Nr.: SIR500DP-T1-RE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390 µohmProduktpalette: TrenchFET Gen V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 350.8 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK SO Drain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 104.1 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIR500DP-T1-RE3, 3677848, 367-7848 |
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