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DIODES INC. DMN2011UFDE-7 MOSFET, N-KANAL, 20V, 11.7A, U-DFN2020


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-3680119
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN2011UFDE-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
diodes mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 6 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 11.7 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: U-DFN2020
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 1.97 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 V
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, DIODES INC., DMN2011UFDE-7, 3680119, 368-0119
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