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| Artikel-Nr.: 8737-3702700 Herst.-Nr.: SQJA66EP-T1_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024 ohmProduktpalette: TrenchFET Gen IV Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 75 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: PowerPAK SO Drain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 68 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQJA66EP-T1_GE3, 3702700, 370-2700 |
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