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INFINEON FZ1200R12HE4HOSA2 IGBT MODULE, 1.2KV, 1.825KA, 7.15KW/STUD


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-3703581
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FZ1200R12HE4HOSA2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Produktpalette: -
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: Modul
  • Dauer-Kollektorstrom: 1.825 kA
  • IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75 V
  • Verlustleistung: 7.15 kW
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
  • IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: Zweifach
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: igbt module, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, FZ1200R12HE4HOSA2, 3703581, 370-3581
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