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INFINEON IPB80P03P4L04ATMA2 MOSFET, P-KANAL, 30V, 80A, TO-263


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-3703596
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB80P03P4L04ATMA2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034 ohm
  • Produktpalette: OptiMOS-P2
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 80 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 137 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 V
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet 80a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPB80P03P4L04ATMA2, 3703596, 370-3596
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