| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-3729616 Herst.-Nr.: SISH892BDN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0253 ohmProduktpalette: TrenchFET Gen IV Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Dauer-Drainstrom Id: 20 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 29 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet 20a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SISH892BDN-T1-GE3, 3729616, 372-9616 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |