| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-3757548 Herst.-Nr.: SCT2160KEGC11 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 18 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-247N Dauer-Drainstrom Id: 22 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CDrain-Source-Spannung Vds: 1.2 kVVerlustleistung: 165 WGate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 VSVHC: Lead (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, mosfet, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ROHM, SCT2160KEGC11, 3757548, 375-7548 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |