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| Artikel-Nr.: 8737-3766216 Herst.-Nr.: NTMT125N65S3H EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108 ohmProduktpalette: SUPERFET III MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 4 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 24 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TDFN Drain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 171 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: Lead (27-Jun-2024) RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NTMT125N65S3H, 3766216, 376-6216 |
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