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VISHAY IRFB9N65APBF MOSFET, N-KANAL, 650V, 8.5A, TO-220


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-3772673
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFB9N65APBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: TO-220
  • Dauer-Drainstrom Id: 8.5 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 167 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, IRFB9N65APBF, 3772673, 377-2673
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