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VISHAY SI4464DY-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 200V, 1.7A, SOIC


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3772756
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4464DY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Dauer-Drainstrom Id: 1.7 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 200 V
  • Verlustleistung: 1.5 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI4464DY-T1-GE3, 3772756, 377-2756
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