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VISHAY SI7114ADN-T1-GE3 MOSFET N-KANAL 30V, 18.3A, POWERPAK 1212


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3772771
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI7114ADN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 20 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01 ohm
  • Produktpalette: Trench
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 18.3 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 3.7 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI7114ADN-T1-GE3, 3772771, 377-2771
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