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| Artikel-Nr.: 8737-3772776 Herst.-Nr.: SI7220DN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4 AProduktpalette: TrenchFET Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 VDauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4 ADrain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048 ohmKanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048 ohmVerlustleistung, n-Kanal: 1.3 WVerlustleistung, p-Kanal: 1.3 WBetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifikation: - SVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, VISHAY, SI7220DN-T1-GE3, 3772776, 377-2776 |
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