| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-3772836 Herst.-Nr.: SIRA18ADP-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007 ohmProduktpalette: TrenchFET Gen IV Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: PowerPAK SO Dauer-Drainstrom Id: 30.6 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 14.7 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet 30a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIRA18ADP-T1-GE3, 3772836, 377-2836 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |