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| Artikel-Nr.: 8737-3772842 Herst.-Nr.: SIS488DN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045 ohmProduktpalette: TrenchFET Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Dauer-Drainstrom Id: 40 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 40 VVerlustleistung: 52 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet vishay, feldeffekttransistor, 40a mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIS488DN-T1-GE3, 3772842, 377-2842 |
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