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VISHAY SIS990DN-T1-GE3 MOSFET 2FACH N-KANAL 100V, POWERPAK 1212


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3772843
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIS990DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Dioden
FETs
Gleichrichter
MOSFET
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100 V
  • Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.1 A
  • Produktpalette: TrenchFET Series
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100 V
  • Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.1 A
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.071 ohm
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.071 ohm
  • Verlustleistung, n-Kanal: 25 W
  • Verlustleistung, p-Kanal: 25 W
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
  • Qualifikation: -
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Ja
    • Die Konditionen im Überblick1
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    Preis gilt ab 2’500’000 Stück
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