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VISHAY SQ3419AEEV-T1_GE3 MOSFET, P-KANAL, 40V, 6.9A, TSOP


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3772854
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQ3419AEEV-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • Anzahl der Pins: 6 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 6.9 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TSOP
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Verlustleistung: 5 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQ3419AEEV-T1_GE3, 3772854, 377-2854
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