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VISHAY SUD20N10-66L-GE3 MOSFET, N-KANAL, 100V, 16.9A, TO-252


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3772886
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SUD20N10-66L-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Dauer-Drainstrom Id: 16.9 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 41.7 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SUD20N10-66L-GE3, 3772886, 377-2886
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