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| Artikel-Nr.: 8737-3772886 Herst.-Nr.: SUD20N10-66L-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055 ohmProduktpalette: TrenchFET Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauer-Drainstrom Id: 16.9 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 41.7 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SUD20N10-66L-GE3, 3772886, 377-2886 |
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