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TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM220NB06CR RLG MOSFET, N-KANAL, 60V, 35A, PDFN56


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-3773041
Hersteller:
     Taiwan Semiconductor
Herst.-Nr.:
     TSM220NB06CR RLG
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 35 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: PDFN56
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 68 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3 V
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TAIWAN SEMICONDUCTOR, TSM220NB06CR RLG, 3773041, 377-3041
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